很多朋友都知道，閃存決定U盤的壽命，一般U盤的閃存類型分為TLC、MLC、SLC三類，這三種閃存類型之間有何區(qū)別，又有何優(yōu)缺點(diǎn)呢?今天小編就跟大家介紹一下U盤中SLC、MLC和TLC三種閃存類型的區(qū)別。

　　SLC、 MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術(shù)接棒后，架構(gòu)演進(jìn)為1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元存放2位元。

　　2009年TLC架構(gòu)正式問世，代表1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元可存放3位元，成本進(jìn)一步大幅降低。如同上一波SLC技術(shù)轉(zhuǎn)MLC技術(shù)趨勢(shì)般，這次也是由NAND Flash大廠東芝(Toshiba)引發(fā)戰(zhàn)火，之后三星電子(Samsung Electronics)也趕緊加入戰(zhàn)局，使得整個(gè)TLC技術(shù)大量被量產(chǎn)且應(yīng)用在終端產(chǎn)品上。TLC芯片雖然儲(chǔ)存容量變大，成本低廉許多，但因?yàn)樾�能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。象是內(nèi)嵌世紀(jì)液體應(yīng)用、智能型手機(jī)(Smartphone)、固態(tài)硬碟 (SSD)等技術(shù)門檻高，對(duì)于NAND Flash效能講求高速且不出錯(cuò)等應(yīng)用產(chǎn)品，則一定要使用SLC或MLC芯片。

　　2010年NAND Flash市場的主要成長驅(qū)動(dòng)力是來自于智能型手機(jī)和平板計(jì)算機(jī)，都必須要使用SLC或MLC芯片，因此這兩種芯片都處于缺貨狀態(tài)，而TLC芯片卻是持續(xù) 供過于求，且將整個(gè)產(chǎn)業(yè)的平均價(jià)格往下拉，使得市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli在統(tǒng)計(jì)2010年第2季全球NAND Flash產(chǎn)值時(shí)，出現(xiàn)罕見的市場規(guī)�？s小情況發(fā)生，從2010年第1季43億美元下降至41億美元，減少6.5%。

　　U盤MP3中使用的SLC、MLC、 TLC閃存芯片的區(qū)別：

　　SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價(jià)格超貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格)，約10萬次擦寫壽命 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。